- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11531 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire
Détention brevets de la classe H01L 27/11531
Brevets de cette classe: 172
Historique des publications depuis 10 ans
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35
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3
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
25 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
24 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
15 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
12 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
10 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
9 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
9 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
8 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
8 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
6 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
6 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
6 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
5 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
4 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
4 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
4 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
3 |
| eMemory Technology Inc. | 358 |
2 |
| Intel NDTM US LLC | 373 |
2 |
| Greenliant LLC | 24 |
1 |
| Autres propriétaires | 9 |